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RTR025P02 P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 TY 低导通电阻 内置栅源保护二极管

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-2.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.07Ω @-2.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.7--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation1W
Description & ApplicationsFeatures Low On-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT3).
描述与应用低导通电阻。 内置G-S的保护二极管。 小和表面贴装封装（TSMT3）
规格书PDF
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