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SI3457CDV-T1-GE3 P沟道MOS场效应管 -30V -4.1A 0.060ohm SOT-163 marking/标记 ATO

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-4.1A/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.060Ω @-4.1A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsFEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用功率MOSFET
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