我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

SSM6N37FE 复合场效应管 20V 250mA/0.25A SOT-563/ES6 marking/标记 SU 高速开关

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流IdDrain Current 250mA/0.25A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 2200mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 100mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage 0.35~1.0V
耗散功率PdPower Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type • High-Speed Switching Applications • Analog Switching Applications • 1.5-V drive • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low ON-resistance RDS(ON) = 5.60 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) RDS(ON) = 4.05 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) RDS(ON) = 3.02 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 2.20 Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 •高速开关应用 •模拟开关应用 •1.5-V驱动器 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻RDS(ON)= 5.60Ω(最大)(@ VGS= 1.5 V) RDS(ON)= 4.05Ω(最大值)(@ VGS=1.8 V) RDS(ON)= 3.02Ω(最大值)(@ VGS=2.5 V) RDS(ON)=2.20Ω(最大)(@ VGS= 4.5 V)
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00