BSS225 N沟道MOSFET 600V 90mA SOT-89 marking/标记 KD 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 600V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 90mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 4.5Ω/Ohm @90mA,4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 360mW/0.36W |
| Description & Applications | • n-channel • enhancement mode • Logic level • dv /dt rated • Pb-free lead-plating; RoHS compliant |
| 描述与应用 | •n沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv / dt的额定 •无铅引脚电镀，符合RoHS标准 |
| 规格书PDF |
