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TPCF8104 P沟道MOS场效应管 -30V -6A 28毫欧 vs-8 marking/标记 F3D 便携式设备应用 低漏电流 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance28mΩ@ VGS = -10V, ID = -3A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.8~-2.0V
耗散功率PdPower Dissipation2.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 21 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 9.6 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = −10 μA (max) (VDS = −30 V) • Enhancement mode: Vth = −0.8 to −2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1mA)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型(U-MOSⅣ) 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •低漏源导通电阻RDS(ON)= 21mΩ(典型值) •高正向转移导纳:| YFS|= 9.6 S(典型值) •低漏电流:IDSS= -10μA(最大)(VDS=-30 V) •增强模式:Vth= -0.8到-2.0 V (VDS=-10 V,ID=-1MA)
规格书PDF
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