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2SA1727-Q PNP三极管 -400V -500mA/-0.5A 12MHz 82~164 -1000mV/-1V TO-252/DPAK marking/标记 A1727 高击穿电压

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-400V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)-400V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)−500mA/-0.5A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)12MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)82~164
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-1000mV/-1V
耗散功率PcPoWer Dissipation1W
Description & ApplicationsHigh-voltage Switching Transistor Features 1) High breakdown voltage, BVCEO= 400V. 2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V at IC / IB = 100mA / 10mA. 3) High switching speed, typically tf : 1 s at IC = 100mA. 4) Wide SOA (safe operating area).
描述与应用高压开关晶体管 特点 1)高击穿电压BVCEO= 400V。 2)低饱和电压,通常VCE(sat)的IC / IB= 0.3V=100mA/10毫安的。 3)高开关速度,通常是TF:IC=100MA1秒。 4)宽安全工作区(SOA)
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