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UP01213G0L NPN+NPN复合三极管 50V 100mA HEF=80 R1=R2=47KΩSOT-563 标记9L 用于开关/数字电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 47KΩ
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 47KΩ
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHZ
耗散功率Pc Power Dissipation 125MW
Description & Applications Features • Silicon NPN epitaxial planar type • Two elements incorporated into one package (transistors with built-in resistor) • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
描述与应用 特点 •NPN硅外延平面型 •两个要素纳入一个包(内置电阻晶体管) •减少安装面积和汇编一半的费用
规格书PDF
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