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SSM6P15FU 复合场效应管 -30V -100mA/-0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 DQ 高速开关

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance1.2Ω@ VGS = -4V, ID = -10mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.1~-1.7V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type • High Speed Switching Applications • Analog Switch Applications • Small package • Low ON resistance : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = −4 V) : Ron = 32 Ω (max) (@VGS = −2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 •高速开关应用 •模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻RON =12Ω(最大)(@ VGS=-4 V) RON=32Ω(最大)(@ VGS=-2.5 V)
规格书PDF
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