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SSM6K25FE N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A SOT-563/ES6 marking/标记 NH 低导通电阻/高速开关/低门槛/低栅极驱动器

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance145mΩ@ VGS = 4.0V, ID = 250mA
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.5~1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) High Speed Switching Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low on-resistance: Ron = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 190mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅N沟道MOS类型(U-MOSIII) 高速开关应用 •最适用于高密度安装在小包装 •低导通电阻RON =395mΩ(最大)(@ VGS=1.8 V) RON=190mΩ(最大)(@ VGS= 2.5 V) RON =145mΩ(最大)(@ VGS=4.0 V)
规格书PDF
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