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SI3454ADV N沟道MOSFET 30V 3.4A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 A4E 低导通电阻/DMOS结构式

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance85mΩ@ VGS =4.5V, ID =3.8A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1~3V
耗散功率Pd Power Dissipation1.14W
Description & ApplicationsN-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用N沟道30-V(D-S)的MOSFET
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