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SI1403DL P沟道MOS场效应管 -20V 1.5A 0.145ohm SOT-363 marking/标记 OA

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-1.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.145Ω @-1.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.6V
耗散功率PdPower Dissipation625mW/0.625W
Description & ApplicationsP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道2.5-V（G-S）的MOSFET
规格书PDF
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