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MCH3411 N沟道MOSFET 30V 3A SOT-323/SC-70 marking/标记 KL 低导通电阻/低栅极电荷/快速开关

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10v
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.009Ω/Ohm @1.5A,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 2.5V drive.
描述与应用N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 •低导通电阻。 •超高速开关。 •2.5V驱动
规格书PDF
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