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2sb1184TLR PNP三极管 -60V -3A 70MHz 180~390 -1000mV/-1V TO-252/DPAK marking/标记 B1184R

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)-3A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 70MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)180~390
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-1000mV/-1V
耗散功率PcPoWer Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Medium power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2) Complements the 2SD1760
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点 1)低VCE(sat)的。 2)补充2SD1760
规格书PDF
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