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2SK1920 N沟道MOSFET 250V 4A TO-252/TP-FA marking/标记 K1920 高速功率/低导通电阻/高速开关/低驱动电流

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance500Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsN-Channel mos silicon FET Very HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features N-Channel MOS silicon FET Very high-speed switching application Low ON resistance Very high-speed switching Low-voltage drive
描述与应用N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用 特性 N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用 低导通电阻 非常高的速度开关 低电压驱动
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