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UP0121M00L NPN+NPN复合三极管 50V 100mA HEF=80 R1=2.2KΩ R2=47KΩ SOT-563 标记EM 用于开关/数字电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 0.047
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 0.047
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 125mW
Description & Applications Features • Silicon NPN epitaxial planar type • Two elements incorporated into one package (transistors with built-in resistor) • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
描述与应用 特点 •NPN硅外延平面型 •两个要素纳入一个包(内置电阻晶体管) •减少安装面积和汇编一半的费用
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