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RJU002N06 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 ML 电源供应器/转换器/桥电路

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.24mA,@3A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.8-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & Applications2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Low On-resistance. Low voltage drive (2.5V drive)
描述与应用2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 低电压驱动(2.5V驱动器)
规格书PDF
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