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SI1305DL P沟道MOS场效应管 -8V -920mA 0.280ohm SOT-523 marking/标记 LB

型号：SI1305DL
标记/丝印/代码/打字：LB
厂家：VISHAY
批号：05+ 05+
封装：SOT-523/SC-75A/SC-89
整包数量：3000
最小起批量：10
技术文档：

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产品描述

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流IdDrain Current	-920mA/-0.92A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.280Ω @-1A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation	340mW/0.34W
Description & Applications	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用	P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET

规格书PDF

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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