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BFG93A-GS08 NPN三极管 20V 50mA 6Ghz 40~150 400mV/0.4V SOT-143 marking/标记 R8 高功率增益 低噪声系数

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)12V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)6Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)40~150
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage400mV/0.4V
耗散功率PcPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsNPN Silicon Planar RF Transistor Features • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications RF amplifier up to GHz range.
描述与应用NPN硅平面RF晶体管 特点  •高功率增益  •低噪声系数  •高转换频率  •铅(Pb)免费组件  •组件按照RoHS 2002/95/EC和WEEE2002/96/EC 应用 RF放大器高达GHz范围内。
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