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TPCP8604 PNP+PNP复合三极管 -400V -300mA 140~450 PS-8 标记8604 用于开关/数字电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)-400V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)-400V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)-300mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)35MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)140~450
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio-400mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)1100mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)Features • TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type • High breakdown voltage: VCEO = −400 V • High-Voltage Switching Applications
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio特点 •东芝晶体管的硅NPN三重扩散台面型 •高击穿电压:VCEO=-400V •高电压开关应用
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
描述与应用
规格书PDF
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