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SI5855DC 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2.7A 1A 0.375V 1206-8/vs-8 marking/标记 jb

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source VoltageP沟道 P-Channel
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-20V
最大漏极电流IdDrain Current-8V
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance-2.7A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage110mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-2.7A
耗散功率PdPower Dissipation-0.45~-1.0V
Description & Applications肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
描述与应用20V
规格书PDF
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