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BSS87 N沟道MOSFET 240V 1.04A SOT-89 marking/标记 KA 高密度电池设计极低的RDS/压控制小信号开关

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage240V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current1.04A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.9Ω/Ohm 260mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation1A
Description & ApplicationsSIPMOSSmall-Signal-Transistor N-Channel Enhancement mode, Logic Level dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant
描述与应用SIPMOS小信号晶体管 N沟道 增强模式,逻辑电平 dv / dt的额定 无铅引脚电镀,符合RoHS标准
规格书PDF
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