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RJJ0102DQM-ELEHS P沟道MOS场效应管 -30V -2A 0.9ohm SOT-363 marking/标记 TG 低导通电阻 小型封装 4v驱动

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.9Ω @-200mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0--2.5V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsFeatures Low On-resistance. Small package (EMT3). 4V drive.
描述与应用低导通电阻。 小型封装（EMT3）。 4V驱动器。
规格书PDF
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