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2SB1188-R PNP三极管 -40V -2A 100MHz 180~390 -800mV/-0.8V SOT-89/MPT marking/标记 BCR

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−32V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)-2A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)180~390
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage−800mV/-0.8V
耗散功率PcPoWer Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Medium power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2) Complements the 2SD1766
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点 1)低VCE(sat)的。 2)补充2SD1766
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