我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

UPA679TB 复合场效应管 20V/-20V 250mA/350mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 YA 2.5V驱动

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V/-12V
最大漏极电流IdDrain Current250mA/350mA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance570mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 300mA/ 1450mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -200mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.5~1.5V/-0.80~-1.80V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The μ PA679TB is a switching device, which can be driven directly by a 2.5 V power source. The μ PA679TB features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • 2.5 V drive available • Low on-state resistance N-ch RDS(on)1 = 0.57 Ω MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 0.30 A) RDS(on)3 = 0.88 Ω MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 0.15 A) P-ch RDS(on)1 = 1.45 Ω MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −0.20 A) RDS(on)3 = 2.98 Ω MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −0.15 A) • Two MOS FET circuits in same size package as SC-70
描述与应用N/ P沟道MOS场效应晶体管的开关 说明 该的μPA679TB是开关器件,它可以直接由2.5 V电源驱动。 的μPA679TB设有低通态电阻和出色的开关特性,是适合 的应用,如便携机的电源开关等。 特点 •2.5 V驱动器可用 •低通态电阻 N-CH RDS(上)1= 0.57Ω最大。 (VGS=4.5 V,ID=0.30 ) 的RDS(on)= 0.88Ω最大。 (VGS=2.5 V,ID=0.15 A) P-ch的RDS(上)1= 1.45Ω最大。 (VGS= -4.5 V,ID=-0.20 ) 的RDS(on)= 2.98Ω最大。 (VGS= -2.5 V,ID=-0.15 ) •两个MOS FET电路中的SC-70封装尺寸相同
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00