我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

UPA1915TE P沟道MOS场效应管 -20V 4.5A 0.045ohm SOT-163 marking/标记 TH 4V驱动 低导通电阻

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-4.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.045Ω @-2.5A,-4V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.5--1.5V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsFEATURES • Can be driven by a 4 V power source • Low on-state resistance RDS(on)1 = 57 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –2.5 A) RDS(on)2 = 86 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.5 A) RDS(on)3 = 96 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –2.5A)
描述与应用•可驱动4 V的电源 •低通态电阻 的RDS(on)1 =57mΩ最大。 (VGS=-10V,ID=-2.5 A) 的RDS(on)2 =86mΩ最大。 (VGS= -4.5 V,ID=-2.5 A) 的RDS(on)=96mΩ最大。 (VGS= -4.0 V,ID=-2.5A)
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00