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SSM6J51TU P沟道MOS场效应管 -12V -4A 54毫欧 SOT-363 marking/标记 KPC 高电流开关 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-12V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance54mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -2A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.3~-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ) High Current Switching Applications • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low on-resistance: Ron = 54 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 85 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) 150mΩ(max) (@VGS = -1.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型(U-MOSⅣ) 高电流开关应用 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻RON =54MΩ(最大)(@ VGS=-2.5 V) 85毫欧(最大值)(@ VGS=-1.8 V) 150MΩ(最大)(@ VGS=-1.5 V)
规格书PDF
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