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SBFP420M NPN三极管 15V 35mA 25GHz 50~150 SOT-343 marking/标记 MB

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)4.5V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)35mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)25GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)50~150
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsFeatures • NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor • Low noise : NF=1.1dB typ (f=1.8GHz). • High cut-off frequency : fT=20GHz typ (VCE=1V).: fT=25GHz typ (VCE=3V). • Low voltage operation. • High Gain : S21e2=17dB typ (f=1.8GHz). • Ultrasmall (1006 size), thin (0.5mm) leadless package. • UHF to C Band Low Noise Amplifier,Low Phase Noise Oscillation Applications
描述与应用特点 •NPN平面外延硅晶体管 •低噪音:NF=1.1分贝典型值(F =1.8GHz的)。 •高截止频率:FT =20GHz的典型值(VCE=1V)。:FT=25GHz的典型(VCE=3V)。 •低电压操作。 •高增益:S21E2=17分贝典型值(F =1.8GHz的)。 •超小(1006尺寸),薄(0.5mm)的无铅封装。 •UHF到C波段低噪声放大器,低相位噪声振荡应用
规格书PDF
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