RN2507 PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -100mA HEF=80 R1=10KΩ R2=47KΩ 300mW/0.3W SOT-153/SMV/SOT23-5 标记YH 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-0.1A/-100MA |
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ |
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
0.21 |
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
80 |
截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
200MHZ |
耗散功率Pc Power Dissipation |
300MW/0.3W |
描述与应用 Description & Applications |
特点•东芝晶体管的硅PNP外延式(PCT程序)(偏置电阻内置晶体管)•包括两个设备中的SMV(5导线的超级迷你型)•借助内置的偏置电阻•简化电路设计•减少了部件数量和制造工艺•互补RN1501~RN1509应用•开关应用•逆变器电路应用•接口电路的应用•驱动器电路应用 |
技术文档PDF下载 | 在线阅读 |
规格书PDF |