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MTD20P03HDLT4 P沟道MOS场效应管 30V 1.9A 0.09ohm SOT-23 marking/标记 20P03HL

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流IdDrain Current-1.9A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.09Ω @950mA,5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.0V
耗散功率PdPower Dissipation7.5W
Description & ApplicationsFeatures • Avalanche Energy Specified • Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode • Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature • Pb−Free Packages are Available
描述与应用•雪崩能量 •源漏二极管恢复时间等同于离散 快恢复二极管 •二极管的特性是桥电路中使用 •IDSS和VDS(上) 指定高温 •无铅包可用
规格书PDF
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