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MRF1517T1 N沟道MOSFET 25V 4A PLD-1.5 marking/标记 M1517 高速开关/低导通电阻/低电压驱动

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20vV
最大漏极电流Id Drain Current4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.1V
耗散功率Pd Power Dissipation6.25W
Description & Applications• Specified Performance @ 520 MHz, 7.5 Volts Output Power — 8 Watts Power Gain — 11 dB Efficiency — 55% • Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters • Excellent Thermal Stability • Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 9.5 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive • Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier Information Available Upon Request • RF Power Plastic Surface Mount Package • Available in Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 Inch Reel.
描述与应用功率MOSFET 300毫安,60伏 N沟道SOT-223 这是专为高速,低损耗电源功率MOSFET 开关应用,如开关稳压器,DC-DC转换器, 电磁阀和继电器驱动器。该器件采用SOT-223 包是专为中等功率表面贴装应用。 •指定的性能@520 MHz时,7.5伏特 输出功率 - 8瓦 功率增益 - 11分贝 效率 - 55% •等效串联大信号特点 阻抗参数 •优良的热稳定性 •能够处理20:1 VSWR,@9.5 VDC, 520兆赫,2 dB高速 •宽带UHF/ VHF示范放大器 要求提供信息 •RF功率塑料表面贴装封装 •可在磁带和卷轴。 T1后缀= 1,000单位每12 mm,7英寸卷筒。
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