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MMBT5551LT NPN三极管 180V 600mA/0.6a 20~250 150mV~250mV SOT-23/SC-59 marking/标记 G1 高电压晶体管

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)160V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)600mA/0.6A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)20~250
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage150mV~250mV
耗散功率PcPower Dissipation225mW/0.225W
Description & ApplicationsHigh Voltage Transistors NPN Silicon • Pb−Free Packages are Available
描述与应用高电压晶体管 NPN硅 无铅包可用
规格书PDF
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