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MMBF170LT1 N沟道MOSFET 60V 500mA/0.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 6Z 高速开关/低导通电阻/低电压驱动

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.05Ω/Ohm @200mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.8-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation225mW/0.225W
Description & ApplicationsN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •AEC Q101 Qualified − MVBF170LT1 •These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
描述与应用功率MOSFET 500毫安,60 V N沟道SOT-23 AEC Q101标准 - MVBF170LT1 •这些器件是无铅,符合RoHS标准
规格书PDF
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