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MCH6702 复合三极管+二极管 -1.5A 30V SOT-363 标记PB

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产品描述
三极管BJT类型 TYPEPNP
三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)-15V
三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)-15V
三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)-1.5A
三极管BJT截止频率fT Transtion Frequency(fT)350MHz
三极管BJT直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)-100mA
三极管BJT管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage-120~-180mV
二极管DIODE类型 TYPE肖特基-单管 SBD-Single
二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage30V
二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current700mA
二极管DIODE正向电压降VF Forward Voltage(Vf)500mV
耗散功率Pc Power Dissipation1W
Description & ApplicationsFeatures • TR : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor SBD : Schottky Barrier Diode • DC/DC Converter Applications • Composite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diode contained in one package facilitatiing high-density mounting. • The MCH6702 consists of two chips which are equivaient to the MCH6101 and SBS006, respectively. • The ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. (mounting height 0.85mm).
描述与应用特点 •TR:PNP平面外延硅晶体管  SBD:肖特基二极管 •DC / DC转换器应用 •复合型包含在一个与一个PNP晶体管和一个肖特基势垒二极管包facilitatiing高密度安装。 •MCH6702由两个芯片是相同于MCH6101和SBS006,分别。 •超小型封装有利于在终端产品的小型化。 (安装高度0.85毫米)。
规格书PDF
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