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HN1C03F-B NPN+NPN复合三极管 50V 0.3A HEF=350~1200 SOT-163/SM6/SOT-26 标记C3B 用于开关/数字电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 300MA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 30MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 350~1200
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 0.1V
耗散功率Pc
Power Dissipation
 300MW/0.3W
描述与应用
Description & Applications
 特点 •东芝晶体管的硅NPN外延型(PCT工艺)包括两个设备在SM6(超迷你型6引线) •高发射极 - 基极电压VEBO= 25V(最小值) •高反向HFE:扭转HFE=150(典型值)(VCE=2V,IC=4毫安) •低导通电阻RON=1Ω(典型值)(IB=5毫安) •对于静音和开关应用
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