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HN1B01FU-Y PNP+NPN复合三极管 -50V/50V -150mA/150mA 120~400 SOT-363/US6 标记1AY 用于开关/数字电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)-50V/50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)-50V/50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)-150mA/150mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT)120MHz/150MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)120~400
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage-100mV/100mV
耗散功率Pc Power Dissipation200mW
Description & ApplicationsFeatures • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Q1: • High voltage and high current : VCEO = −50 V, IC = −150 mA (max) • High hFE : hFE = 120~400 • Excellent hFE linearity : hFE (IC = −0.1 mA) / hFE (IC = −2 mA) = 0.95 (typ.) Q2: • High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) • High hFE : hFE = 120~400 • Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA) / hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) • Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
描述与应用特点 •东芝晶体管的硅PNP外延型硅NPN外延型(PCT工艺)(PCT工艺) Q1: •高电压和高电流:VCEO=-50 V,IC= -150 mA(最大) •高HFE:HFE=120〜400 •优秀的HFE线性:HFE(IC= -0.1毫安)/ HFE(IC=-2毫安)=0.95(典型值) Q2: •高电压和高电流:VCEO=50 V,IC=150 mA(最大) •高HFE:HFE=120〜400 •优秀的HFE线性:HFE(IC= 0.1毫安)/ HFE(IC= 2毫安)=0.95(典型值) •音频频率通用放大器应用
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