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FDD6670A N沟道MOSFET 30V 6.6A TO-252/D-PAK marking/标记 FDD6670A 低导通电阻/超高速开关/4V驱动器

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current6.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.010Ω/Ohm @1.3A,
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation7W
Description & Applications• 66 A, 30 V. R DS(on)= 0.008 Ω @ V GS= 10 V RDS(on)= 0.010 Ω @ V GS = 4.5 V. • Low gate charge (35nC typical). • Fast switching speed. • High performance trench technology for extremely low RDS(on)
描述与应用•66 A,30 V. R DS(ON)= 0.008Ω@ V GS = 10 V RDS(ON)= 0.010Ω@ V GS= 4.5 V。 •低栅极电荷(35NC典型)。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极 低RDS(on)
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