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ECH8302-TL-E P沟道MOS场效应管 -30V -7A 48毫欧 Vth:-1~-2.4V ECH8 marking/标记 JB 低导通电阻 通用开关 4V驱动

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance48mΩ@ VGS = -4V, ID = -2A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1~-2.4V
耗散功率PdPower Dissipation1.6W
Description & ApplicationsP-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive.
描述与应用P-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特点 •低导通电阻。 •4V驱动器。
规格书PDF
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