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EC4304C P沟道MOS场效应管 -30V -250mA 1.5ohm Vth:-0.4--1.4V ECSP1008-4 marking/标记 V 高速开关 2.5V驱动 ESD保护

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current-0.25A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance1.5Ω @-120mA,-4V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.4--1.4V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications• Low ON-resistance. • High-speed switching. • 2.5V drive. • High resistance to damage from ESD (typ 300V) [with a protection diode connected between the gate and source].
描述与应用•低导通电阻。 •高速开关。 •2.5V驱动。 •高抗ESD损害(典型值300V)保护二极管之间连接的栅极和源]
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