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CXT3019 NPN三极管 140V 1A 100MHz 100~300 500mV/0.5V SOT-89 marking/标记 CXT3019 高电压放大器

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)140V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)80V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)100MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)100~300
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage500mV/0.5V
耗散功率PcPower Dissipation1.2W
Description & ApplicationsSURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTORS The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications.
描述与应用表面贴装 NPN硅晶体管 中央半导体CXT5551型硅NPN晶体管由外延平面工艺,环氧树脂模压在一个表面贴装封装,高电压放大器应用设计制造。
规格书PDF
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