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CPH3424 N沟道MOSFET 60V 1.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 KZ 增强模式/逻辑电平

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current1.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.22Ω/Ohm @900mA 10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.2v-2.6V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive.
描述与应用N-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 •低导通电阻。 •超高速开关。 •4V驱动器
规格书PDF
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