我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

CMT2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 024V 密度电池设计极低的RDS

热销商品

产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20v
最大漏极电流Id Drain Current115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance75Ω/Ohm 50mA,5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation225mW/0.225W
Description & ApplicationsHigh Density Cell Design for Low RDS(ON) Voltage Controlled Small Signal Switch Rugged and Reliable High Saturation Current Capability
描述与应用高密度电池设计低RDS(ON) 电压控制小信号开关 坚固可靠 高饱和电流能力
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号  技术支持: 奇点网络 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00