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CF739 MESFET-N沟道 10V 6mA-60mA -2.5V SOT-143 marking/标记 HS 高频应用/低噪点

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage10V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current6mA-60mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-2.5V
耗散功率PdPower Dissipation240mW/0.24W
Description & ApplicationsGaAs FET. Features . N-channel dual-gate GaAs MES FET . Depletion mode transistor for tuned small- signal applications up to 2 GHz, e. g. VHF, UHF, Sat-TV tuners . Low noise . High gain . Low input capacitance
描述与应用砷化镓场效应管. 特点: N沟道双栅的GaAs MES 场效应管. 耗尽型晶体管调谐小信号应用. 低噪音, 高增益 ,低输入电容.
规格书PDF
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