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BSS64TA N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 U3 增强模式/逻辑电平

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)80V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)100MA/0.1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)100MHZ
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)20~80
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage0.2V
耗散功率PcPower Dissipation330MW
Description & ApplicationsNPN high-voltage transistor. * Low current (max. 100 mA). * High voltage (max. 80 V). * High-voltage general purpose and switching applications. * Intended for application in thick and thin-film circuits.
描述与应用NPN高压晶体管。 *低电流(最大100 mA)。 *高电压(最大80 V)。 *高电压通用开关应用。 *拟申请在厚薄膜电路。
规格书PDF
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