BSP135 N沟道MOSFET 600V 120mA/0.12A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP135 高交叉调制性能/低反馈电容/低噪声增益控制放大
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 600V |
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 14V |
最大漏极电流Id Drain Current | 120mA/0.12A |
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.3Ω/Ohm @1.8A,10V |
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage | 0.8-2V |
耗散功率Pd Power Dissipation | 1.8W |
Description & Applications | SIPMOS ®Small-Signal-Transistor Features • N-channel • Depletion mode • dv /dt rated |
描述与应用 | SIPMOS®小信号晶体管 •N沟道 •耗尽模式 •dv / dt的额定 |
规格书PDF |