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BSP135 N沟道MOSFET 600V 120mA/0.12A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP135 高交叉调制性能/低反馈电容/低噪声增益控制放大

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage14V
最大漏极电流Id Drain Current120mA/0.12A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.3Ω/Ohm @1.8A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.8-2V
耗散功率Pd Power Dissipation1.8W
Description & ApplicationsSIPMOS ®Small-Signal-Transistor Features • N-channel • Depletion mode • dv /dt rated
描述与应用SIPMOS®小信号晶体管 •N沟道 •耗尽模式 •dv / dt的额定
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