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BFG480 NPN三极管 14.5V 80-250mA 21GHz 40~100 sot-343 marking/标记 p6 高功率增益

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)14.5V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)4.5V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)80-250mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)21GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)40~100
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation360mW/0.36W
Description & Applications• NPN wideband transistor • High power gain • High efficiency • Low noise figure • High transition frequency • Emitter is thermal lead • Low feedback capacitance • Linear and non-linear operation. • RF front end with high linearity system demands (CDMA) • Common emitter class AB driver.
描述与应用•NPN宽带晶体管 •高功率增益 •高效率 •低噪声系数 •高转换频率 •发射器是热的铅 •低反馈电容 线性和非线性操作。 •RF前端具有高线性系统要求 (CDMA) •共发射极的AB类驱动程序。
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