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磁珠 BES201209-301 0805-301
型号:
BES201209-301
标记/丝印/代码/打字:
厂家:
SAMSUNG
批号:
00+ 05+
封装:
0805-301
整包数量:
4000
最小起批量:
10
技术文档:
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产品描述
不同频率时的阻抗Impedance @ Frequency
额定电流Current Rating
DC电阻DCRDC Resistance
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说明
库存
BF1005R N沟道MOSFET 8V 25mA SOT-143 marking/标记 MZ 集成偏置网络
BF1005R
标记:MZ
封装:SOT-143
SIEMENS
批号:05+
2500
10起订
BF1100 N沟道MOSFET 14 30mA SOT-143 marking/标记 M56 高速开关/低导通电阻
BF1100
标记:M56
封装:SOT-143
NXP/PHILIPS
批号:05+NOPB2400
4500
10起订
BF1100WR N沟道MOSFET 14 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 MF 高速开关/低导通电阻
BF1100WR
标记:MF
封装:SOT-343/SC70-4
NXP/PHILIPS
批号:05+
1000
10起订
BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHz
BF1101WR
标记:NC
封装:SOT-343
NXP/PHILIPS
批号:05+
35000
10起订
BF1102R 复合场效应管 7 40mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 W2 低噪声放大 VHF和UHF应用
BF1102R
标记:W2
封装:SOT-363/SC70-6
NXP/PHILIPS
批号:05+nopb
04NOPB
19900
10起订
BF1107 N沟道MOSFET 3V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 S3W 低噪声增益控制放大器/VHF和UHF应用
BF1107
标记:S3W
封装:SOT-23/SC-59
NXP/PHILIPS
批号:06/09ROHS
08NOPB
2150
10起订
BF1108 N沟道MOSFET 3V 10mA SOT-143 marking/标记 NGW 符合AEC Q101
BF1108
标记:NGW
封装:SOT-143
NXP/PHILIPS
批号:08ROHS
08+ROHS
87000
10起订
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