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2SK368-gr N沟道结型场效应管 100v 2.6~6.5mA SOT-23 marking/标记 KAG radio 和高电压放大器

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage100v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -100v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current2.6~6.5ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.4~-3.5v
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET Audio Frequency and High Voltage Amplifier Applications Constant Current Applications • High breakdown voltage: VGDS = −100 V (min) • High input impedance: IGSS = −1.0 nA (max) (VGS = −80 V) • Small package
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 音频频率和高电压放大器的应用 恒流应用 •高击穿,电压:VGDS= -100 V(分钟) •高输入阻抗:IGSS= -1.0 NA(最大值)(VGS=-80 V) •小型封装
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