2SK3547 N沟道MOSFET 50V 100mA/0.1A sot-723 marking/标记 5F 高速开关/宽频率频段
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 7V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 6Ω/Ohm @10mA,4V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.9-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | Silicon Junction FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOSFET For switching Features Silicon n-channel MOSFET For switching High-speed switching Wide frequency band Gate-protection diode built-in |
| 描述与应用 | 硅结场效应晶体管（小信号） 硅N沟道MOSFET的开关 特性 硅N沟道MOSFET 对于开关 高速开关 宽的频率频段 内置栅极保护二极管 |
| 规格书PDF |
