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2SK3113-Z-E2 N沟道MOSFET 600V 2A TO-252/D-PAK marking/标记 K3113 高速开关/低导通电阻/4V驱动

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.3Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-state resistance RDS(on) = 4.4 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A) Low gate charge QG = 9 nC TYP(VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Gate voltage rating ±30 V Avalanche capability ratings
描述与应用MOS场效应晶体管 N沟道MOS场效应晶体管 用于高速开关 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通电阻 RDS(ON)=4.4Ω最大。 (VGS=10 V,ID=1.0 A) 低栅极电荷Qg= 9 NC 典型值(VDD=450 V,VGS=10V,ID= 2.0 A) 门的额定电压±30 V 雪崩能力额定值
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