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2SK2401 N沟道MOSFET 200V 15A TO-263 marking/标记 K2401 4V栅极驱动/低漏源导通电阻/高正向转移导纳/低漏电流

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current15A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.13Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation75W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV) Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications Features Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications 4 V gate drive Low drain−source ON resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement−mode
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型(π-MOSV) 斩波稳压器,DC-DC转换器和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS型 斩波稳压器,DC-DC转换器和电机驱动 应用 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强型
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